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失效分析是對(duì)于電子元件失效原因進(jìn)行診斷，在進(jìn)行失效分析的過(guò)程中，往往需要借助儀器設(shè)備，以及化學(xué)類手段進(jìn)行分析，以確認(rèn)失效模式，判斷失效原因，研究失效機(jī)理，提出改善預(yù)防措施。其方法可以分為有損分析，無(wú)損分析，物理分析，化學(xué)分析等。其中在進(jìn)行微觀形貌檢測(cè)的時(shí)候，尤其是需要觀察斷面或者內(nèi)部結(jié)構(gòu)時(shí)，需要用到離子研磨儀+掃描電鏡結(jié)合法，來(lái)進(jìn)行失效分析研究。
離子研磨儀目前是普遍使用的制樣工具，可以進(jìn)行不同角度的剖面切削以及表面的拋光和清潔處理，以制備出適合半導(dǎo)體故障分析的 SEM 用樣品。
離子研磨儀
TECHNOORG LINDA
1
掃描電鏡
Phenom SEM
2
??
離子研磨儀的基本原理
晶片失效分析思路和方法
案例分享 1
優(yōu)先判斷失效的位置
鎖定失效分析位置后，決定進(jìn)行離子研磨儀進(jìn)行切割
離子研磨儀中進(jìn)行切割
切割后的樣品，放大觀察
放大后發(fā)現(xiàn)故障位置左右不對(duì)稱
進(jìn)一步放大后，發(fā)現(xiàn)故障位置擠壓變形，開(kāi)裂，是造成失效的主要原因
變形開(kāi)裂位置
放大倍數(shù)：20,000x
變形開(kāi)裂位置
放大倍數(shù)：40,000x
IC封裝測(cè)試失效分析
案例分享 2
對(duì)失效位置進(jìn)行切割
離子研磨儀中進(jìn)行切割
位置1. 放大后發(fā)現(xiàn)此處未連接。放大倍數(shù)：30,000x
位置2. 放大后發(fā)現(xiàn)此處開(kāi)裂。放大倍數(shù)：50,000x
PCB/PCBA失效分析
案例分享 3
離子研磨儀
SC-2100
適用于離子束剖面切削、表面拋光
可預(yù)設(shè)不同切削角度制備橫截面樣品
可用于樣品拋光或最終階段的細(xì)拋和清潔
超高能量離子槍用于快速拋光
低能量離子槍適用后處理的表面無(wú)損細(xì)拋和清潔
操作簡(jiǎn)單，嵌入式計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，全自動(dòng)設(shè)定操作
冷卻系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)化，應(yīng)用于多種類樣本
高分辨率彩色相機(jī)實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)監(jiān)控拋光過(guò)程
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